Name: El módulo de poder de Infineon IGBT FF50R12RT4 34m m 1200V se dobla IGBT con el foso rápido/Fieldstop
Brand: Infineon
SKU: FF50R12RT4
Price: 1 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (177 reviews)

Inicio Productos Módulo de alimentación IGBT

El módulo de poder de Infineon IGBT FF50R12RT4 34m m 1200V se dobla IGBT con el foso rápido/Fieldstop

Datos del producto:

Lugar de origen:	China
Nombre de la marca:	Infineon
Número de modelo:	FF50R12RT4

Pago y Envío Términos:

Cantidad de orden mínima:	1 set
Detalles de empaquetado:	Empaque de caja de madera
Tiempo de entrega:	25 días después de firmar el contrato
Condiciones de pago:	T/T
Capacidad de la fuente:	1000sets

Contacto

Descripción detallada del producto

VCES:	1200V	Nom de IC:	50A
ICRM:	100A	Aplicaciones:	Impulsiones del motor
Características eléctricas:	Pérdidas bajas de la transferencia
Alta luz:	módulo del igbt del poder más elevado , igbt automotriz

Infineon FF50R12RT4 34 milímetros bien conocidos 1200V se dobla los módulos de IGBT con el foso/el fieldstop IGBT4 y el emisor rápidos controlado

Usos típicos

• Convertidores de poder más elevado

• Impulsiones del motor

• Sistemas de UPS

Características eléctricas

• Temperatura extendida Tvj de la operación de Op. Sys.

• Pérdidas bajas de la transferencia

• VCEsat bajo

• Tvj de Op. Sys. = 150°C

• VCEsat con coeficiente de temperatura positivo

Características mecánicas

• Embase aislado

• Vivienda estándar

IGBT, inversor

Valores clasificados máximos

voltaje del Colector-emisor	Tvj = 25°C	VCES	1200	V
Corriente de colector continua de DC	TC = 100°C, Tvj máximo = 175°C	Nom de IC	50	A
Corriente de colector máxima repetidor	tP = 1 ms	ICRM	100	A
Disipación de poder total	TC = 25°C, Tvj máximo = 175°C	Ptot	285	W
voltaje máximo del Puerta-emisor		VGES	+/--20	V

Valores característicos

voltaje de saturación del Colector-emisor	IC = 50 A, VGE = 15 V Tvj = 25°C IC = 50 A, VGE = 15 V Tvj = 125°C IC = 50 A, VGE = 15 V Tvj = 150°C	VCE sentado		1,85 2,15 2,25	2,15	V VV
Voltaje del umbral de la puerta	IC = 1,60 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C	VGEth	5,2	5,8	6,4	V
Carga de la puerta	VGE = -15 V… +15 V	QG		0,38		µC
Resistor interno de la puerta	Tvj = 25°C	RGint		4,0		Ω
Capacitancia de la entrada	f = 1 megaciclo, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V	Cies		2,80		N-F
Capacitancia reversa de la transferencia	f = 1 megaciclo, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V	Cres		0,10		N-F
corriente del atajo del Colector-emisor	VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C	HIELA			1,0	mA
corriente de la salida del Puerta-emisor	VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C	IGES			100	nA
Tiempo de retraso de abertura, carga inductiva	IC = 50 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C VGE = ±15 V Tvj = 125°C RGon = 15 Ω Tvj = 150°C	TD encendido		0,13 0,15 0,15		µs µs µs
Tiempo de subida, carga inductiva	IC = 50 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C VGE = ±15 V Tvj = 125°C RGon = 15 Ω Tvj = 150°C	tr		0,02 0,03 0.035		µs µs µs
Tiempo de retraso de la vuelta-apagado, carga inductiva	IC = 50 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C VGE = ±15 V Tvj = 125°C RGoff = 15 Ω Tvj = 150°C	TD apagado		0,30 0,38 0,40		µs µs µs
Tiempo de caída, carga inductiva	IC = 50 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C VGE = ±15 V Tvj = 125°C RGoff = 15 Ω Tvj = 150°C	tf		0.045 0,08 0,09		µs µs µs
Pérdida de energía de abertura por pulso	IC = 50 A, VCE = 600 V, LS = 30 nH Tvj = 25°C VGE = ±15 V, di/dt = 1300 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C RGon = 15 Ω Tvj = 150°C	Eón		4,50 6,50 7,50		19,0 30,0 36,0
Pérdida de energía de la vuelta-apagado por pulso	IC = 50 A, VCE = 600 V, LS = 30 nH Tvj = 25°C VGE = ±15 V, du/dt = 3800 V/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C RGoff = 15 Ω Tvj = 150°C	Eoff		2,50 4,00 4,50		mJ mJ mJ
Datos del SC	≤ 15 V, VCC = 800 V DE VGE VCEmax = VCES - LsCE ·µs del ≤ 10 de di/dt tP, Tvj = 150°C	ISC		180		mJ mJ mJ
Resistencia termal, empalme al caso	IGBT/por IGBT	RthJC			0,53	K/W
Resistencia termal, disipador de calor del caseto	CADA IGBT/por IGBT λPaste = 1 con (m·K)/λgrease = 1 con (m·K)	RthCH		0.082		K/W
Temperatura bajo condiciones de la transferencia		Tvj de Op. Sys.	-40		150	°C