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El módulo de poder de Infineon IGBT FF50R12RT4 34m m 1200V se dobla IGBT con el foso rápido/Fieldstop

Name: El módulo de poder de Infineon IGBT FF50R12RT4 34m m 1200V se dobla IGBT con el foso rápido/Fieldstop
Brand: Hontai Machinery and equipment (HK) Co. ltd
SKU: FF50R12RT4
Price: 210.00 USD
Availability: InStock

Nombre De La Marca:	Infineon
Número De Modelo:	FF50R12RT4
Cuota De Producción:	1 set
Condiciones De Pago:	T/T
Capacidad De Suministro:	1000sets

Información detallada

Descripción del producto

Información detallada

Lugar de origen:

China

VCES:

1200V

Nom de IC:

50A

ICRM:

100A

Aplicaciones:

Impulsiones del motor

Características eléctricas:

Pérdidas bajas de la transferencia

Detalles de empaquetado:

Empaque de caja de madera

Capacidad de la fuente:

1000sets

Resaltar:

módulo del igbt del poder más elevado

igbt automotriz

Descripción del producto

Infineon FF50R12RT4 34 milímetros bien conocidos 1200V se dobla los módulos de IGBT con el foso/el fieldstop IGBT4 y el emisor rápidos controlado

Usos típicos

• Convertidores de poder más elevado

• Impulsiones del motor

• Sistemas de UPS

Características eléctricas

• Temperatura extendida Tvj de la operación de Op. Sys.

• Pérdidas bajas de la transferencia

• VCEsat bajo

• Tvj de Op. Sys. = 150°C

• VCEsat con coeficiente de temperatura positivo

Características mecánicas

• Embase aislado

• Vivienda estándar

IGBT, inversor

Valores clasificados máximos

voltaje del Colector-emisor	Tvj = 25°C	VCES	1200	V
Corriente de colector continua de DC	TC = 100°C, Tvj máximo = 175°C	Nom de IC	50	A
Corriente de colector máxima repetidor	tP = 1 ms	ICRM	100	A
Disipación de poder total	TC = 25°C, Tvj máximo = 175°C	Ptot	285	W
voltaje máximo del Puerta-emisor		VGES	+/--20	V

Valores característicos

voltaje de saturación del Colector-emisor	IC = 50 A, VGE = 15 V Tvj = 25°C IC = 50 A, VGE = 15 V Tvj = 125°C IC = 50 A, VGE = 15 V Tvj = 150°C	VCE sentado		1,85 2,15 2,25	2,15	V VV
Voltaje del umbral de la puerta	IC = 1,60 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C	VGEth	5,2	5,8	6,4	V
Carga de la puerta	VGE = -15 V… +15 V	QG		0,38		µC
Resistor interno de la puerta	Tvj = 25°C	RGint		4,0		Ω
Capacitancia de la entrada	f = 1 megaciclo, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V	Cies		2,80		N-F
Capacitancia reversa de la transferencia	f = 1 megaciclo, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V	Cres		0,10		N-F
corriente del atajo del Colector-emisor	VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C	HIELA			1,0	mA
corriente de la salida del Puerta-emisor	VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C	IGES			100	nA
Tiempo de retraso de abertura, carga inductiva	IC = 50 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C VGE = ±15 V Tvj = 125°C RGon = 15 Ω Tvj = 150°C	TD encendido		0,13 0,15 0,15		µs µs µs
Tiempo de subida, carga inductiva	IC = 50 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C VGE = ±15 V Tvj = 125°C RGon = 15 Ω Tvj = 150°C	tr		0,02 0,03 0.035		µs µs µs
Tiempo de retraso de la vuelta-apagado, carga inductiva	IC = 50 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C VGE = ±15 V Tvj = 125°C RGoff = 15 Ω Tvj = 150°C	TD apagado		0,30 0,38 0,40		µs µs µs
Tiempo de caída, carga inductiva	IC = 50 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C VGE = ±15 V Tvj = 125°C RGoff = 15 Ω Tvj = 150°C	tf		0.045 0,08 0,09		µs µs µs
Pérdida de energía de abertura por pulso	IC = 50 A, VCE = 600 V, LS = 30 nH Tvj = 25°C VGE = ±15 V, di/dt = 1300 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C RGon = 15 Ω Tvj = 150°C	Eón		4,50 6,50 7,50		19,0 30,0 36,0
Pérdida de energía de la vuelta-apagado por pulso	IC = 50 A, VCE = 600 V, LS = 30 nH Tvj = 25°C VGE = ±15 V, du/dt = 3800 V/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C RGoff = 15 Ω Tvj = 150°C	Eoff		2,50 4,00 4,50		mJ mJ mJ
Datos del SC	≤ 15 V, VCC = 800 V DE VGE VCEmax = VCES - LsCE ·µs del ≤ 10 de di/dt tP, Tvj = 150°C	ISC		180		mJ mJ mJ
Resistencia termal, empalme al caso	IGBT/por IGBT	RthJC			0,53	K/W
Resistencia termal, disipador de calor del caseto	CADA IGBT/por IGBT λPaste = 1 con (m·K)/λgrease = 1 con (m·K)	RthCH		0.082		K/W
Temperatura bajo condiciones de la transferencia		Tvj de Op. Sys.	-40		150	°C

Las etiquetas:

Actuador de válvula eléctrica

Válvula de la central eléctrica

Relé de Control electrónico

ESPECIALMENTE regulador

Sistema de encendido de alto rendimiento

Indicador de velocidad de Digitaces

Sensor de velocidad de rotación

Repuesto de alimentador de carbón

3 motores eléctricos de la fase

Pese el regulador del alimentador

Indicadores de niveles magnéticos

Relais de protección del transformador

Contactor de DC

Dispositivos de protección de la baja tensión

Electro freno hidráulico del empujador

Módulo de alimentación IGBT

Actuador de válvula eléctrica

Válvula de la central eléctrica

Relé de Control electrónico

ESPECIALMENTE regulador

Sistema de encendido de alto rendimiento

Indicador de velocidad de Digitaces

Sensor de velocidad de rotación

Repuesto de alimentador de carbón

3 motores eléctricos de la fase

Pese el regulador del alimentador

Indicadores de niveles magnéticos

Relais de protección del transformador

Contactor de DC

Dispositivos de protección de la baja tensión

Electro freno hidráulico del empujador

Módulo de alimentación IGBT

Detalles de los productos

El módulo de poder de Infineon IGBT FF50R12RT4 34m m 1200V se dobla IGBT con el foso rápido/Fieldstop

El módulo de poder de Infineon IGBT FF50R12RT4 34m m 1200V se dobla IGBT con el foso rápido/Fieldstop

módulo del igbt del poder más elevado

igbt automotriz