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| Lugar de origen: | China |
| Nombre de la marca: | Infineon |
| Número de modelo: | FF200R12KT4 |
| Cantidad de orden mínima: | 1 set |
|---|---|
| Detalles de empaquetado: | Empaque de caja de madera |
| Tiempo de entrega: | 25 días después de firmar el contrato |
| Condiciones de pago: | T/T |
| Capacidad de la fuente: | 1000sets |
| VCES: | 1200V | Nom IC de IC: | 200A |
|---|---|---|---|
| IC: | 320A | ICRM: | 400A |
| Alta luz: | módulo del igbt del poder más elevado,igbt automotriz |
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serie C del semipuente 62m m 1200 V, módulo de impulsión dual de poder de los módulos FF200R12KT4 del inversor IGBT
Valores clasificados máximos
| voltaje del Colector-emisor | Tvj = 25°C | VCES | 1200 | V |
| Corriente de colector continua de DC | TC = 100°C, Tvj máximo = 175°C TC = 25°C, Tvj máximo = 175°C |
Nom de IC IC |
200 320 |
A A |
| Corriente de colector máxima repetidor | tP = 1 ms | ICRM | 400 | A |
| Disipación de poder total |
TC = 25°C, Tvj máximo = 175°C |
Ptot | 1100 | W |
| voltaje máximo del Puerta-emisor | VGES | +/--20 | V |
Valores característicos
| voltaje de saturación del Colector-emisor |
IC = 200 A, VGE = 15 V Tvj = 25°C IC = 200 A, VGE = 15 V Tvj = 125°C |
VCE sentado | 1,75 2,05 2,10 |
2,15 | V VV |
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| Voltaje del umbral de la puerta | IC = 7,60 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C | VGEth | 5,2 | 5,8 | 6,4 | V |
| Carga de la puerta | VGE = -15 V… +15 V | QG | 1,80 | µC | ||
| Resistor interno de la puerta | Tvj = 25°C | RGint | 3,8 | Ω | ||
| Capacitancia de la entrada | f = 1 megaciclo, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V | Cies | 14,0 | N-F | ||
| Capacitancia reversa de la transferencia | f = 1 megaciclo, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V | Cres | 0,50 | N-F | ||
| corriente del atajo del Colector-emisor | VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C | HIELA | 5,0 | mA | ||
| corriente de la salida del Puerta-emisor | VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C | IGES | 400 | nA | ||
| Tiempo de retraso de abertura, carga inductiva | IC = 200 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C VGE = ±15 V Tvj = 125°C RGon = 2,4 Ω Tvj = 150°C |
TD encendido | 0,16 0,17 0,18 |
µs µs µs |
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| Tiempo de subida, carga inductiva | IC = 200 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C VGE = ±15 V Tvj = 125°C RGon = 2,4 Ω Tvj = 150°C |
tr | 0.045 0,04 0,50 |
µs µs µs |
||
| Tiempo de retraso de la vuelta-apagado, carga inductiva | IC = 200 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C VGE = ±15 V Tvj = 125°C RGon = 2,4 Ω Tvj = 150°C |
TD apagado | 0,45 0,52 0,54 |
µs µs µs |
||
| Tiempo de caída, carga inductiva | IC = 200 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C VGE = ±15 V Tvj = 125°C RGon = 2,4 Ω Tvj = 150°C |
tf | 0,10 0,16 0,16 |
µs µs µs |
||
| Pérdida de energía de abertura por pulso | IC = 200 A, VCE = 600 V, LS = 30 nH Tvj = 25°C VGE = ±15 V, di/dt = 4000 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C RGon = 2,4 Ω Tvj = 150°C |
Eón | 10,0 15,0 17,0 |
19,0 30,0 36,0 |
||
| Pérdida de energía de la vuelta-apagado por pulso | IC = 200 A, VCE = 600 V, LS = 30 nH Tvj = 25°C VGE = ±15 V, du/dt = 4500 V/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C RGoff = 2,4 Ω Tvj = 150°C |
Eoff | 14,0 20,0 23,0 |
mJ mJ mJ |
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| Datos del SC | ≤ 15 V, VCC = 900 V DE VGE VCEmax = VCES - LsCE ·µs del ≤ 10 de di/dt tP, Tvj = 150°C |
ISC | 800 | mJ mJ mJ |
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| Resistencia termal, empalme al caso | IGBT/por IGBT | RthJC | 0.135 | K/W | ||
| Resistencia termal, disipador de calor del caseto | CADA IGBT/por IGBT λPaste = 1 con (m·K)/λgrease = 1 con (m·K) |
RthCH | 0.034 | K/W | ||
| Temperatura bajo condiciones de la transferencia | Tvj de Op. Sys. | -40 | 150 |
°C
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Persona de Contacto: Ms. Biona
Teléfono: 86-755-83014873
Fax: 86-755-83047632
Carbón alimentador repuesto Consejo principal, tablero de CPU 9224 / CS2024 / EG24 (tarjeta Micro)
