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1200V serie C dual de la impulsión de poder del módulo FF200R12KT4 del puente del inversor IGBT media 62m m

Name: 1200V serie C dual de la impulsión de poder del módulo FF200R12KT4 del puente del inversor IGBT media 62m m
Brand: Hontai Machinery and equipment (HK) Co. ltd
SKU: FF200R12KT4
Price: 210.00 USD
Availability: InStock

Nombre De La Marca:	Infineon
Número De Modelo:	FF200R12KT4
Cuota De Producción:	1 set
Condiciones De Pago:	T/T
Capacidad De Suministro:	1000sets

Información detallada

Descripción del producto

Información detallada

Lugar de origen:

China

VCES:

1200V

Nom IC de IC:

200A

IC:

320A

ICRM:

400A

Detalles de empaquetado:

Empaque de caja de madera

Capacidad de la fuente:

1000sets

Resaltar:

módulo del igbt del poder más elevado

igbt automotriz

Descripción del producto

serie C del semipuente 62m m 1200 V, módulo de impulsión dual de poder de los módulos FF200R12KT4 del inversor IGBT

Valores clasificados máximos

voltaje del Colector-emisor	Tvj = 25°C	VCES	1200	V
Corriente de colector continua de DC	TC = 100°C, Tvj máximo = 175°C TC = 25°C, Tvj máximo = 175°C	Nom de IC IC	200 320	A A
Corriente de colector máxima repetidor	tP = 1 ms	ICRM	400	A
Disipación de poder total	TC = 25°C, Tvj máximo = 175°C	Ptot	1100	W
voltaje máximo del Puerta-emisor		VGES	+/--20	V

Valores característicos

voltaje de saturación del Colector-emisor	IC = 200 A, VGE = 15 V Tvj = 25°C IC = 200 A, VGE = 15 V Tvj = 125°C IC = 200 A, VGE = 15 V Tvj = 150°C	VCE sentado		1,75 2,05 2,10	2,15	V VV
Voltaje del umbral de la puerta	IC = 7,60 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C	VGEth	5,2	5,8	6,4	V
Carga de la puerta	VGE = -15 V… +15 V	QG		1,80		µC
Resistor interno de la puerta	Tvj = 25°C	RGint		3,8		Ω
Capacitancia de la entrada	f = 1 megaciclo, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V	Cies		14,0		N-F
Capacitancia reversa de la transferencia	f = 1 megaciclo, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V	Cres		0,50		N-F
corriente del atajo del Colector-emisor	VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C	HIELA			5,0	mA
corriente de la salida del Puerta-emisor	VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C	IGES			400	nA
Tiempo de retraso de abertura, carga inductiva	IC = 200 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C VGE = ±15 V Tvj = 125°C RGon = 2,4 Ω Tvj = 150°C	TD encendido		0,16 0,17 0,18		µs µs µs
Tiempo de subida, carga inductiva	IC = 200 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C VGE = ±15 V Tvj = 125°C RGon = 2,4 Ω Tvj = 150°C	tr		0.045 0,04 0,50		µs µs µs
Tiempo de retraso de la vuelta-apagado, carga inductiva	IC = 200 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C VGE = ±15 V Tvj = 125°C RGon = 2,4 Ω Tvj = 150°C	TD apagado		0,45 0,52 0,54		µs µs µs
Tiempo de caída, carga inductiva	IC = 200 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C VGE = ±15 V Tvj = 125°C RGon = 2,4 Ω Tvj = 150°C	tf		0,10 0,16 0,16		µs µs µs
Pérdida de energía de abertura por pulso	IC = 200 A, VCE = 600 V, LS = 30 nH Tvj = 25°C VGE = ±15 V, di/dt = 4000 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C RGon = 2,4 Ω Tvj = 150°C	Eón		10,0 15,0 17,0		19,0 30,0 36,0
Pérdida de energía de la vuelta-apagado por pulso	IC = 200 A, VCE = 600 V, LS = 30 nH Tvj = 25°C VGE = ±15 V, du/dt = 4500 V/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C RGoff = 2,4 Ω Tvj = 150°C	Eoff		14,0 20,0 23,0		mJ mJ mJ
Datos del SC	≤ 15 V, VCC = 900 V DE VGE VCEmax = VCES - LsCE ·µs del ≤ 10 de di/dt tP, Tvj = 150°C	ISC		800		mJ mJ mJ
Resistencia termal, empalme al caso	IGBT/por IGBT	RthJC			0.135	K/W
Resistencia termal, disipador de calor del caseto	CADA IGBT/por IGBT λPaste = 1 con (m·K)/λgrease = 1 con (m·K)	RthCH		0.034		K/W
Temperatura bajo condiciones de la transferencia		Tvj de Op. Sys.	-40		150	°C

1200V serie C dual de la impulsión de poder del módulo FF200R12KT4 del puente del inversor IGBT media 62m m 0

1200V serie C dual de la impulsión de poder del módulo FF200R12KT4 del puente del inversor IGBT media 62m m 1

Las etiquetas:

Actuador de válvula eléctrica

Válvula de la central eléctrica

Relé de Control electrónico

ESPECIALMENTE regulador

Sistema de encendido de alto rendimiento

Indicador de velocidad de Digitaces

Sensor de velocidad de rotación

Repuesto de alimentador de carbón

3 motores eléctricos de la fase

Pese el regulador del alimentador

Indicadores de niveles magnéticos

Relais de protección del transformador

Contactor de DC

Dispositivos de protección de la baja tensión

Electro freno hidráulico del empujador

Módulo de alimentación IGBT

Actuador de válvula eléctrica

Válvula de la central eléctrica

Relé de Control electrónico

ESPECIALMENTE regulador

Sistema de encendido de alto rendimiento

Indicador de velocidad de Digitaces

Sensor de velocidad de rotación

Repuesto de alimentador de carbón

3 motores eléctricos de la fase

Pese el regulador del alimentador

Indicadores de niveles magnéticos

Relais de protección del transformador

Contactor de DC

Dispositivos de protección de la baja tensión

Electro freno hidráulico del empujador

Módulo de alimentación IGBT

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1200V serie C dual de la impulsión de poder del módulo FF200R12KT4 del puente del inversor IGBT media 62m m

1200V serie C dual de la impulsión de poder del módulo FF200R12KT4 del puente del inversor IGBT media 62m m

módulo del igbt del poder más elevado

igbt automotriz