Name: Módulo automotriz de Infineon IGBT, convertidores FF1200R12IE5 del módulo del poder más elevado IGBT
Brand: Infineon
SKU: FF1200R12IE5
Rating: 4.5 (144 reviews)

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Módulo automotriz de Infineon IGBT, convertidores FF1200R12IE5 del módulo del poder más elevado IGBT

Datos del producto:

Lugar de origen:	China
Nombre de la marca:	Infineon
Número de modelo:	FF1200R12IE5

Pago y Envío Términos:

Cantidad de orden mínima:	1 set
Detalles de empaquetado:	Empaque de caja de madera
Tiempo de entrega:	25 días después de firmar el contrato
Condiciones de pago:	T/T
Capacidad de la fuente:	1000sets

Contacto

Descripción detallada del producto

VCES:

1200V

Nom de IC:

1200A

ICRM:

2400A

Alta luz:

módulo del igbt del poder más elevado

módulo del igbt del eupec

El motor automotriz de los convertidores de poder más elevado de los módulos de Infineon Technologies IGBT FF1200R12IE5 conduce

Usos típicos
• Convertidores de poder más elevado
• Impulsiones del motor
• Sistemas de UPS

Características eléctricas
• Temperatura de funcionamiento extendida Tvj de Op. Sys.
• Alta capacidad del cortocircuito
• Robustez imbatible
• Tvj de Op. Sys. = 175°C
• Foso IGBT 5

Características mecánicas
• Paquete con CTI>400
• Densidad de poder más elevado
• Capacidad del poder más elevado y del ciclo termal
• Altas distancias del contorneamiento y de la liquidación

Inversor de IGBT
Valores clasificados máximos

voltaje del Colector-emisor	Tvj = 25°C	VCES	1200	V
Corriente de colector continua de DC	TC = 80°C, Tvj máximo = 175°C	Nom de IC	1200	A
Corriente de colector máxima repetidor	tP = 1 ms	ICRM	2400	A
voltaje máximo del Puerta-emisor		VGES	+/--20	V

Tipo del Min. de los valores característicos. máximo.

voltaje de saturación del Colector-emisor	IC = 1200 A, VGE = 15 V Tvj = 25°C IC = 1200 A, VGE = 15 V Tvj = 125°C IC = 1200 A, VGE = 15 V Tvj = 175°C	VCE sentado		1,70 2,00 2,15	2,15 2,45 2,60	VVV
Voltaje del umbral de la puerta	IC = 33,0 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C	VGEth	5,25	5,80	6,35	V
Carga de la puerta	VGE = -15 V… +15 V, VCE = 600V	QG		5,75		µC
Resistor interno de la puerta	Tvj = 25°C	RGint		0,75		Ω
Capacitancia de la entrada	f = 1 megaciclo, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V	Cies		65,5		N-F
Capacitancia reversa de la transferencia	f = 1 megaciclo, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V	Cres		2,60		N-F
corriente del atajo del Colector-emisor	VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C	HIELA			5,0	mA
corriente de la salida del Puerta-emisor	VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C	IGES			400	nA
Tiempo de retraso de abertura, carga inductiva	IC = 1200 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C VGE = ±15 V Tvj = 125°C RGon = 0,82 Ω Tvj = 175°C	TD encendido		0,20 0,23 0,25		µs µs µs
Tiempo de subida, carga inductiva	IC = 1200 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C VGE = ±15 V Tvj = 125°C RGon = 0,82 Ω Tvj = 175°C	tr		0,16 0,17 0,18		µs µs µs
Tiempo de retraso de la vuelta-apagado, carga inductiva	IC = 1200 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C VGE = ±15 V Tvj = 125°C RGoff = 0,82 Ω Tvj = 175°C	TD apagado		0,48 0,52 0,55		µs µs µs
Tiempo de caída, carga inductiva	IC = 1200 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C VGE = ±15 V Tvj = 125°C RGoff = 0,82 Ω Tvj = 175°C	tf		0,08 0,11 0,13		µs µs µs
Pérdida de energía de abertura por pulso	IC = 1200 A, VCE = 600 V, LS = 45 nH Tvj = 25°C VGE = ±15 V, di/dt = 6000 A/µs (Tvj = 175°C) Tvj = 125°C RGon = 0,82 Ω Tvj = 175°C	Eón		80,0 120 160		mJ mJ mJ
Pérdida de energía de la vuelta-apagado por pulso	IC = 1200 A, VCE = 600 V, LS = 45 nH Tvj = 25°C VGE = ±15 V, du/dt = 2800 V/µs (Tvj = 175°C) Tvj = 125°C RGoff = 0,82 Ω Tvj = 175°C	Eoff		130 160 180		mJ mJ mJ
Datos del SC	≤ 15 V, VCC = 900 V DE VGE VCEmax = VCES - LsCE ·µs del ≤ 10 de di/dt tP, Tvj = 175°C	ISC		4000		A
Resistencia termal, empalme al caso	IGBT/per IGBT	RthJC			28,7	K/kW
Resistencia termal, caso al disipador de calor	IGBT/per IGBT λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)	RthCH		22,1		K/kW
Temperatura bajo condiciones de la transferencia		Tvj de Op. Sys.	-40		175	°C