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Detalles de los productos

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Módulo de alimentación IGBT
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Los convertidores de poder más elevado automotrices de IGBT Modul FF1500R12IE5 activos se doblan 1500,0 A IGBT5 - E5

Los convertidores de poder más elevado automotrices de IGBT Modul FF1500R12IE5 activos se doblan 1500,0 A IGBT5 - E5

Nombre De La Marca: Infineon
Número De Modelo: FF1500R12IE5
Cuota De Producción: 1 set
Condiciones De Pago: T/T
Capacidad De Suministro: 1000sets
Información detallada
Lugar de origen:
China
VCES:
1200V
Nom de IC:
1500A
ICRM:
3000A
Aplicaciones:
Impulsiones del motor
Detalles de empaquetado:
Empaque de caja de madera
Capacidad de la fuente:
1000sets
Resaltar:

módulo del igbt del poder más elevado

,

módulo del igbt del eupec

Descripción del producto

PrimePACK™3+modulewithTrench/FieldstopIGBT5, EmitterControlled5diodeandNTC VCES = 12

Usos potenciales
• Sistemas de UPS
• Convertidores de poder más elevado
• Usos solares
• Impulsiones del motor

Características eléctricas
• Tvj de Op. Sys. = 175°C
• Temperatura de funcionamiento extendida Tvj de Op. Sys.
• Robustez imbatible
• Foso IGBT 5
• Alta capacidad del cortocircuito

Características mecánicas
• Paquete con CTI>400
• Densidad de poder más elevado
• Capacidad del poder más elevado y del ciclo termal
• Altas distancias del contorneamiento y de la liquidación

Inversor de IGBT
Valores clasificados máximos

voltaje del Colector-emisor Tvj = 25°C VCES 1200 V
Corriente de colector continua de DC TC = 100°C, Tvj máximo = 175°C Nom de IC 1500 A
Corriente de colector máxima repetidor tP = 1 ms ICRM 3000 A
voltaje máximo del Puerta-emisor VGES +/--20 V

Tipo del Min. de los valores característicos. máximo.

voltaje de saturación del Colector-emisor IC = 1500 A, VGE = 15 V
IC = 1500 A, VGE = 15 V
IC = 1500 A, VGE = 15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
VCE sentado 1,70
2,00
2,15
2,15
2,45
2,60
VVV
Voltaje del umbral de la puerta IC = 41,0 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C VGEth 5,25 5,80 6,35 V
Carga de la puerta VGE = -15 V… +15 V, VCE = 600V QG 7,15 µC
Resistor interno de la puerta Tvj = 25°C RGint 0,6
Capacitancia de la entrada f = 1 megaciclo, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 82,0 N-F
Capacitancia reversa de la transferencia f = 1 megaciclo, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 3,25 N-F
corriente del atajo del Colector-emisor VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C HIELA 5,0 mA
corriente de la salida del Puerta-emisor VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 400 nA
Tiempo de retraso de abertura, carga inductiva IC = 1500 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGon = Ω 0,82
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
TD encendido 0,26
0,28
0,28
µs
µs
µs
Tiempo de subida, carga inductiva IC = 1500 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGon = Ω 0,82
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
tr 0,16
0,17
0,18
µs
µs
µs
Tiempo de retraso de la vuelta-apagado, carga inductiva IC = 1500 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGoff = Ω 0,82
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
TD apagado 0,51
0,56
0,59
µs
µs
µs
Tiempo de caída, carga inductiva IC = 1500 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGoff = Ω 0,82
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
tf 0,09
0,11
0,13
µs
µs
µs
Pérdida de energía de abertura por pulso IC = 1500 A, VCE = 600 V, LS = 30 nH
VGE = ±15 V, di/dt = 7900 A/µs (Tvj = 175°C)
RGon = Ω 0,82
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
Eón 120
180
215
mJ
mJ
mJ
Pérdida de energía de la vuelta-apagado por pulso IC = 1500 A, VCE = 600 V, LS = 30 nH
VGE = ±15 V, du/dt = 2750 V/µs (Tvj = 175°C)
RGoff = Ω 0,82
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
Eoff 155
195
220
mJ
mJ
mJ
Datos del SC ≤ 15 V, VCC = 900 V DE VGE
VCEmax = VCES - LsCE ·µs del ≤ 10 de di/dt tP, Tvj = 175°C
ISC 5600 A
Resistencia termal, empalme al caso Cada IGBT/por IGBT RthJC 19,5 K/kW
Resistencia termal, caso al disipador de calor cada IGBT/por IGBT
λPaste = 1 con (m·K)/λgrease =1 con (m·K)
RthCH 12,5 K/kW
Temperatura bajo condiciones de la transferencia Tvj de Op. Sys. -40 175 °C

Los convertidores de poder más elevado automotrices de IGBT Modul FF1500R12IE5 activos se doblan 1500,0 A IGBT5 - E5 0