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Detalles de los productos

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Módulo de alimentación IGBT
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Módulo automotriz de Infineon IGBT, convertidores FF1200R12IE5 del módulo del poder más elevado IGBT

Módulo automotriz de Infineon IGBT, convertidores FF1200R12IE5 del módulo del poder más elevado IGBT

Nombre De La Marca: Infineon
Número De Modelo: FF1200R12IE5
Cuota De Producción: 1 set
Condiciones De Pago: T/T
Capacidad De Suministro: 1000sets
Información detallada
Lugar de origen:
China
VCES:
1200V
Nom de IC:
1200A
ICRM:
2400A
Detalles de empaquetado:
Empaque de caja de madera
Capacidad de la fuente:
1000sets
Resaltar:

módulo del igbt del poder más elevado

,

módulo del igbt del eupec

Descripción del producto

El motor automotriz de los convertidores de poder más elevado de los módulos de Infineon Technologies IGBT FF1200R12IE5 conduce

Usos típicos
• Convertidores de poder más elevado
• Impulsiones del motor
• Sistemas de UPS


Características eléctricas
• Temperatura de funcionamiento extendida Tvj de Op. Sys.
• Alta capacidad del cortocircuito
• Robustez imbatible
• Tvj de Op. Sys. = 175°C
• Foso IGBT 5

Características mecánicas
• Paquete con CTI>400
• Densidad de poder más elevado
• Capacidad del poder más elevado y del ciclo termal
• Altas distancias del contorneamiento y de la liquidación

Inversor de IGBT
Valores clasificados máximos

voltaje del Colector-emisor Tvj = 25°C VCES 1200 V
Corriente de colector continua de DC TC = 80°C, Tvj máximo = 175°C Nom de IC 1200 A
Corriente de colector máxima repetidor tP = 1 ms ICRM 2400 A
voltaje máximo del Puerta-emisor VGES +/--20 V

Tipo del Min. de los valores característicos. máximo.

voltaje de saturación del Colector-emisor

IC = 1200 A, VGE = 15 V Tvj = 25°C

IC = 1200 A, VGE = 15 V Tvj = 125°C

IC = 1200 A, VGE = 15 V Tvj = 175°C

VCE sentado

1,70

2,00

2,15

2,15

2,45

2,60

VVV
Voltaje del umbral de la puerta IC = 33,0 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C VGEth 5,25 5,80 6,35 V
Carga de la puerta VGE = -15 V… +15 V, VCE = 600V QG 5,75 µC
Resistor interno de la puerta Tvj = 25°C RGint 0,75
Capacitancia de la entrada f = 1 megaciclo, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 65,5 N-F
Capacitancia reversa de la transferencia f = 1 megaciclo, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 2,60 N-F
corriente del atajo del Colector-emisor VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C HIELA 5,0 mA
corriente de la salida del Puerta-emisor VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 400 nA
Tiempo de retraso de abertura, carga inductiva IC = 1200 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C
VGE = ±15 V Tvj = 125°C
RGon = 0,82 Ω Tvj = 175°C
TD encendido 0,20
0,23
0,25
µs
µs
µs
Tiempo de subida, carga inductiva IC = 1200 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C
VGE = ±15 V Tvj = 125°C
RGon = 0,82 Ω Tvj = 175°C
tr 0,16
0,17
0,18
µs
µs
µs
Tiempo de retraso de la vuelta-apagado, carga inductiva IC = 1200 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C
VGE = ±15 V Tvj = 125°C
RGoff = 0,82 Ω Tvj = 175°C
TD apagado 0,48
0,52
0,55
µs
µs
µs
Tiempo de caída, carga inductiva IC = 1200 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C
VGE = ±15 V Tvj = 125°C
RGoff = 0,82 Ω Tvj = 175°C
tf 0,08
0,11
0,13
µs
µs
µs
Pérdida de energía de abertura por pulso IC = 1200 A, VCE = 600 V, LS = 45 nH Tvj = 25°C
VGE = ±15 V, di/dt = 6000 A/µs (Tvj = 175°C) Tvj = 125°C
RGon = 0,82 Ω Tvj = 175°C
Eón 80,0
120
160
mJ
mJ
mJ
Pérdida de energía de la vuelta-apagado por pulso IC = 1200 A, VCE = 600 V, LS = 45 nH Tvj = 25°C
VGE = ±15 V, du/dt = 2800 V/µs (Tvj = 175°C) Tvj = 125°C
RGoff = 0,82 Ω Tvj = 175°C
Eoff 130
160
180
mJ
mJ
mJ
Datos del SC ≤ 15 V, VCC = 900 V DE VGE
VCEmax = VCES - LsCE ·µs del ≤ 10 de di/dt tP, Tvj = 175°C
ISC 4000 A
Resistencia termal, empalme al caso IGBT/per IGBT RthJC 28,7 K/kW
Resistencia termal, caso al disipador de calor IGBT/per IGBT
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH 22,1 K/kW
Temperatura bajo condiciones de la transferencia Tvj de Op. Sys. -40 175 °C

Módulo automotriz de Infineon IGBT, convertidores FF1200R12IE5 del módulo del poder más elevado IGBT 0