Name: Los convertidores de poder más elevado automotrices de IGBT Modul FF1500R12IE5 activos se doblan 1500,0 A IGBT5 - E5
Brand: Infineon
SKU: FF1500R12IE5
Price: 1 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (152 reviews)

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Los convertidores de poder más elevado automotrices de IGBT Modul FF1500R12IE5 activos se doblan 1500,0 A IGBT5 - E5

Datos del producto:

Lugar de origen:	China
Nombre de la marca:	Infineon
Número de modelo:	FF1500R12IE5

Pago y Envío Términos:

Cantidad de orden mínima:	1 set
Detalles de empaquetado:	Empaque de caja de madera
Tiempo de entrega:	25 días después de firmar el contrato
Condiciones de pago:	T/T
Capacidad de la fuente:	1000sets

Contacto

Descripción detallada del producto

VCES:

1200V

Nom de IC:

1500A

ICRM:

3000A

Aplicaciones:

Impulsiones del motor

Alta luz:

módulo del igbt del poder más elevado

módulo del igbt del eupec

PrimePACK™3+modulewithTrench/FieldstopIGBT5, EmitterControlled5diodeandNTC VCES = 12

Usos potenciales
• Sistemas de UPS
• Convertidores de poder más elevado
• Usos solares
• Impulsiones del motor

Características eléctricas
• Tvj de Op. Sys. = 175°C
• Temperatura de funcionamiento extendida Tvj de Op. Sys.
• Robustez imbatible
• Foso IGBT 5
• Alta capacidad del cortocircuito

Características mecánicas
• Paquete con CTI>400
• Densidad de poder más elevado
• Capacidad del poder más elevado y del ciclo termal
• Altas distancias del contorneamiento y de la liquidación

Inversor de IGBT
Valores clasificados máximos

voltaje del Colector-emisor	Tvj = 25°C	VCES	1200	V
Corriente de colector continua de DC	TC = 100°C, Tvj máximo = 175°C	Nom de IC	1500	A
Corriente de colector máxima repetidor	tP = 1 ms	ICRM	3000	A
voltaje máximo del Puerta-emisor	VGES	+/--20	V

Tipo del Min. de los valores característicos. máximo.

voltaje de saturación del Colector-emisor	IC = 1500 A, VGE = 15 V IC = 1500 A, VGE = 15 V IC = 1500 A, VGE = 15 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C	VCE sentado	1,70 2,00 2,15	2,15 2,45 2,60	VVV
Voltaje del umbral de la puerta	IC = 41,0 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C	VGEth	5,25	5,80	6,35	V
Carga de la puerta	VGE = -15 V… +15 V, VCE = 600V	QG	7,15	µC
Resistor interno de la puerta	Tvj = 25°C	RGint	0,6	Ω
Capacitancia de la entrada	f = 1 megaciclo, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V	Cies	82,0	N-F
Capacitancia reversa de la transferencia	f = 1 megaciclo, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V	Cres	3,25	N-F
corriente del atajo del Colector-emisor	VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C	HIELA	5,0	mA
corriente de la salida del Puerta-emisor	VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C	IGES	400	nA
Tiempo de retraso de abertura, carga inductiva	IC = 1500 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGon = Ω 0,82 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C	TD encendido	0,26 0,28 0,28	µs µs µs
Tiempo de subida, carga inductiva	IC = 1500 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGon = Ω 0,82 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C	tr	0,16 0,17 0,18	µs µs µs
Tiempo de retraso de la vuelta-apagado, carga inductiva	IC = 1500 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGoff = Ω 0,82 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C	TD apagado	0,51 0,56 0,59	µs µs µs
Tiempo de caída, carga inductiva	IC = 1500 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGoff = Ω 0,82 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C	tf	0,09 0,11 0,13	µs µs µs
Pérdida de energía de abertura por pulso	IC = 1500 A, VCE = 600 V, LS = 30 nH VGE = ±15 V, di/dt = 7900 A/µs (Tvj = 175°C) RGon = Ω 0,82 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C	Eón	120 180 215	mJ mJ mJ
Pérdida de energía de la vuelta-apagado por pulso	IC = 1500 A, VCE = 600 V, LS = 30 nH VGE = ±15 V, du/dt = 2750 V/µs (Tvj = 175°C) RGoff = Ω 0,82 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C	Eoff	155 195 220	mJ mJ mJ
Datos del SC	≤ 15 V, VCC = 900 V DE VGE VCEmax = VCES - LsCE ·µs del ≤ 10 de di/dt tP, Tvj = 175°C	ISC	5600	A
Resistencia termal, empalme al caso	Cada IGBT/por IGBT	RthJC	19,5	K/kW
Resistencia termal, caso al disipador de calor	cada IGBT/por IGBT λPaste = 1 con (m·K)/λgrease =1 con (m·K)	RthCH	12,5	K/kW
Temperatura bajo condiciones de la transferencia	Tvj de Op. Sys.	-40	175	°C